数据列表：BSP149

标准包装：1,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：SIPMOS®

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：耗尽模式

漏源极电压（Vdss）：200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：660mA（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.8 欧姆 @ 660mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 400µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：14nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：430pF @ 25V

功率 - 最大值：1.8W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装：PG-SOT223-4

其它名称：BSP149 L6327-NDBSP149L6327HTSA1BSP149L6327INTRBSP149L6327XTSP000089214